外周區(qū):大粒徑、高密度雜質(硅屑、研磨墊碎屑)被甩向筒壁,沿壁面下降,從底流口(Bottom) 排出(集中廢棄);
中心區(qū):亞微米級良品砥粒(氧化鈰 / 二氧化硅)隨中心上升流,從頂流口(Top) 或中流口(Middle) 回收(循環(huán)復用)。
粗粒(>5μm 硅屑 / 碎屑):底流排出,集中廢棄;
中粒(2~5μm 混合顆粒):中流回流再分級,進一步提純良品砥粒;
細粒(0.5~2μm 良品砥粒):頂流回收,直接調配后復用。
旋流核心元件:高純度氧化鋁陶瓷(耐磨、無金屬溶出、耐化學腐蝕);
外殼 / 結構件:SUS304 不銹鋼 / 強化尼龍(適配拋光液酸堿環(huán)境,耐腐蝕、抗老化)。
大流量 + 低壓節(jié)能:單臺流量覆蓋 4~110L/min,工作壓力僅 0.3~0.6MPa,配套泵功率小,能耗比傳統(tǒng)膜分離低 30% 以上,契合晶圓廠綠色生產(chǎn)標準;
模塊化并聯(lián),靈活擴容:采用 “單芯模塊 + 多聯(lián)并聯(lián)" 設計,TR/T 系列可 1~30 臺并聯(lián),流量從 10L/min 到 300L/min 靈活匹配,適配 8 英寸 / 12 英寸不同產(chǎn)能晶圓線,小試→量產(chǎn)無縫銜接;
結構極簡,免維護長周期運行:無濾網(wǎng)、無傳動部件、低堵塞設計,故障發(fā)生率極低,日常僅需定期檢查壓力與流量,維護成本幾乎為零,避免頻繁停機影響產(chǎn)線節(jié)奏。
二級分級(T 系列):適配粗顆粒占比高、僅需簡單除雜的拋光液回收,成本更低;
三級分級(TR 系列):適配亞微米級、高附加值的氧化鈰拋光液,追求高精度回收;
材質 / 規(guī)格定制:可根據(jù)拋光液 pH 值、濃度、處理流量,定制旋流元件材質、并聯(lián)臺數(shù)、罐體容積,匹配不同工況需求。
核心參數(shù):D50=1.7μm(全系列最小),單臺流量 4L/min,工作壓力 0.6MPa;
適配場景:氧化鈰拋光液、超精細 CMP 工藝(如先進制程邏輯芯片、存儲芯片),需去除亞微米級雜質、高回收率良品砥粒;
核心價值:離心力最1強,可穩(wěn)定分離 0.5~5μm 顆粒,中流回流設計進一步提升回收率,無金屬污染,保障高1端晶圓良率。
核心參數(shù):D50=3.1μm,單臺流量 12L/min,工作壓力 0.6MPa;
適配場景:常規(guī)硅溶膠拋光液、中高1端 CMP 工藝(如 8 英寸晶圓、普通邏輯芯片),兼顧回收精度與處理流量;
核心價值:適用范圍廣,陶瓷 / 尼龍材質可選,成本適中,可匹配中高流量回收線,良品回收率穩(wěn)定在 60% 以上。
核心參數(shù):D50=10.4μm,單臺流量 110L/min,工作壓力 0.3MPa;
適配場景:大流量、偏粗研磨液、成本優(yōu)先的晶圓線(如低端晶圓、研磨工序);
核心價值:系列處理量最大,MC 尼龍材質成本低,性能接近高1端機型,適配大流量連續(xù)回收場景。
核心參數(shù):T-10(D50=5.1μm,10L/min)、T-80(D50=10.9μm,60~120L/min);
適配場景:僅需粗 / 細兩分、去除大顆粒雜質的拋光液回收,無需中粒回用,追求低成本;
核心價值:結構簡單、價格親民、運維便捷,適合中小晶圓廠或預算有限場景。
日本某 12 英寸晶圓廠:采用 TR-5 型三級分級系統(tǒng),氧化鈰拋光液回收率達 75%,新液采購量減少 60%,年節(jié)省成本超 200 萬元,廢液排放量降低 50%,通過環(huán)保認證;
國內某 8 英寸晶圓廠:采用 TR-10 型并聯(lián)系統(tǒng),硅溶膠拋光液回收率達 65%,回收液直接復用,晶圓良率穩(wěn)定在 99.5% 以上,無金屬污染問題murata-kogyo.co.jp。
? 降本:良品砥粒回收率 50%~80%,大幅減少新液采購與廢液處理成本;
? 提質:無金屬污染、分級精度穩(wěn)定,保障晶圓良率與表面質量;
? 綠色:廢液排放量減半,降低碳排放,契合半導體行業(yè)低碳化發(fā)展趨勢murata-kogyo.co.jp。