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尺寸 / 重量：W200×D350×H345 mm，約 14.6 kg，桌面式、內(nèi)置真空泵。
真空系統(tǒng)：內(nèi)置 10 L/min 旋轉(zhuǎn)泵，極限真空約 2 Pa，工作真空 6–10 Pa（氬氣）。
樣品倉：內(nèi)徑 120 mm× 高 65 mm，硬質(zhì)玻璃；樣品臺(tái) φ50 mm，浮動(dòng)式（與陽極分離）。
靶材規(guī)格：φ51 mm× 厚 0.1 mm（Ag 為 0.5 mm），磁控管電極（永磁體內(nèi)置）。
電源：AC100 V，10 A；工作電壓約 500 V，低壓磁控，減少樣品損傷。
真空腔充氬氣，高壓電場(chǎng)使氬氣電離為 Ar?。
Ar?在電場(chǎng)加速下轟擊金屬靶材，靶原子被濺出。
靶原子沉積在樣品表面，形成 5–50 nm 厚均勻金屬膜，消除荷電、增強(qiáng)二次電子信號(hào)。
浮動(dòng)樣品臺(tái)：電流不流經(jīng)樣品，升溫小，保護(hù)熱敏感樣品（如生物、高分子）。
低壓磁控：500 V 級(jí)電壓、6–8 Pa 氣壓，膜層致密（均勻性≤10%）、顆粒細(xì)，適合高倍 SEM。
一鍵全自動(dòng)：抽真空→濺射→充氣全流程自動(dòng)，1–5 分鐘完成鍍膜，新手易用。
特點(diǎn)：導(dǎo)電性好、膜連續(xù)、抗氧化、顆粒中等（20–30 nm），成本均衡。
適用：絕大多數(shù)常規(guī) SEM 樣品（高分子、陶瓷、粉末、生物樣品），10,000–30,000 倍觀察。
特點(diǎn)：導(dǎo)電性最1優(yōu)、二次電子產(chǎn)率高、顆粒粗（30–50 nm）、易團(tuán)聚。
適用：低倍（≤10,000×）快速觀察、導(dǎo)電要求高的樣品；不適合高分辨率或多孔樣品。
特點(diǎn)：顆粒最細(xì)（10–20 nm）、膜致密穩(wěn)定、抗氧化強(qiáng)、成本高。
適用：高分辨率 FE-SEM（≤50,000×）、EBSD 分析、納米結(jié)構(gòu) / 薄膜 / 生物樣品高倍成像。
特點(diǎn)：顆粒細(xì)（15–25 nm）、導(dǎo)電性與穩(wěn)定性平衡、成本低于純 Pt。
適用：中高倍（20,000–40,000×）、兼顧分辨率與成本的科研場(chǎng)景。
特點(diǎn)：導(dǎo)電性高、沉積快、極易氧化，需低真空 / 氬氣保護(hù)保存。
適用：短期高導(dǎo)電需求、非氧化環(huán)境樣品；不用于長期存放或高濕環(huán)境。
| 應(yīng)用場(chǎng)景 | 推薦靶材 | 關(guān)鍵理由 |
|---|---|---|
| 常規(guī) SEM（10k–30k×）、通用樣品 | Au-Pd（標(biāo)配） | 均衡導(dǎo)電 / 成像 / 成本 |
| 高倍 FE-SEM（≤50k×）、EBSD | Pt / Pt-Pd | 細(xì)顆粒、致密膜、高分辨率 |
| 低倍快速篩查、高導(dǎo)電需求 | Au | 高導(dǎo)電、沉積快 |
| 短期高導(dǎo)電、非氧化環(huán)境 | Ag | 高導(dǎo)電、成本低 |
| 生物 / 高分子（熱敏感） | Pt / Au-Pd | 低損傷、膜均勻 |
低壓磁控 + 浮動(dòng)臺(tái)：與 Pt/Pt-Pd 靶材適配，實(shí)現(xiàn)低損傷 + 細(xì)顆粒，適合生物 / 納米樣品高倍成像。
多靶材兼容：一臺(tái)設(shè)備覆蓋從低倍質(zhì)檢到高倍科研的全場(chǎng)景，性價(jià)比高。
靶材規(guī)格統(tǒng)一：φ51 mm 快換設(shè)計(jì)，切換便捷，減少停機(jī)時(shí)間。
非超高真空：工作真空 6–10 Pa，靶材顆粒（10–50 nm），不支持≤100k× 的超高分辨率 FE-SEM（需 3–5 nm 顆粒，如 Cressington 208HR）。
無反應(yīng)濺射：僅支持貴金屬單質(zhì) / 合金，不能沉積氧化物、氮化物等功能膜。
